美光称其展示全球首款 512 GB DDR5 模组，2027 年具备量产条件
美光称展示了全球首款 512 GB DDR5 RDIMM，面向服务器，速率最高 9200 MT/s；AMD 和 Intel 正为未来服务器平台验证，预计 2027 年具备量产条件。
该模组采用 3D 堆叠 DRAM 芯片，24 根可组成 12 TB 内存。美光称单根功耗 16W，低于 4 根 128 GB 模组的 44.2W，降幅超过 60%。
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美光称其展示全球首款 512 GB DDR5 模组，2027 年具备量产条件
美光称展示了全球首款 512 GB DDR5 RDIMM，面向服务器，速率最高 9200 MT/s；AMD 和 Intel 正为未来服务器平台验证，预计 2027 年具备量产条件。
该模组采用 3D 堆叠 DRAM 芯片，24 根可组成 12 TB 内存。美光称单根功耗 16W，低于 4 根 128 GB 模组的 44.2W，降幅超过 60%。
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