长鑫存储宣称内存突破，领先三星与海力士
长鑫存储总裁曹堪宇在上海行业会议上称，公司计划年底前推出采用 4F² 设计的数据中心服务器内存芯片，若成功将先于三星和 SK 海力士实现该突破。消息引发芯片股抛售，三星与 SK 海力士周二在韩国下跌逾 7%，美光隔夜下跌 4%。
分析人士提醒，从发布到可盈利量产仍存在时间差。Counterpoint 数据显示，长鑫存储今年二季度 DRAM 市场份额升至 10%，去年同期为 4%。
Bloomberg
长鑫存储宣称内存突破，领先三星与海力士
长鑫存储总裁曹堪宇在上海行业会议上称，公司计划年底前推出采用 4F² 设计的数据中心服务器内存芯片，若成功将先于三星和 SK 海力士实现该突破。消息引发芯片股抛售，三星与 SK 海力士周二在韩国下跌逾 7%，美光隔夜下跌 4%。
分析人士提醒，从发布到可盈利量产仍存在时间差。Counterpoint 数据显示，长鑫存储今年二季度 DRAM 市场份额升至 10%，去年同期为 4%。
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